RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
92
Wokół strony -338% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2807
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link