RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
92
Wokół strony -441% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
17
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3702
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link