RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
92
Wokół strony -441% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
17
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3702
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link