RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3013
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link