RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
92
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2952
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link