RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
92
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2952
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link