RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
92
Wokół strony -384% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3435
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link