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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
92
Intorno -384% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
19
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3435
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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