RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
92
Около -384% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3435
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link