RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
92
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2340
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link