RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
92
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2340
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link