RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
92
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2340
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link