RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
92
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2749
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link