RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2978
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link