RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
61
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3191
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link