RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
61
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2504
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link