RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2534
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link