RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3091
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link