RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
84
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
84
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1614
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link