RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2938
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link