RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1578
2938
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link