RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
76
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1809
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link