RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2808
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link