RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
85
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
85
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1118
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link