RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
85
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
85
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1118
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link