RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2502
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link