RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
55
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2239
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link