RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2488
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link