RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2488
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link