RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3649
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link