RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3495
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link