RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3495
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link