RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3718
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link