RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2764
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link