RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4214
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link