RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4214
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link