RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2898
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link