RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4182
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link