RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4182
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link