RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3423
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link