RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2516
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link