RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2570
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link