RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link