RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3052
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link