RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4112
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link