RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4112
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link