RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
71
Wokół strony -238% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4170
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link