RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
71
Wokół strony -238% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4170
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link