RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
71
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3047
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link