RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
71
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
48
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3047
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link