RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3023
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link