RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2846
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link