RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2221
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link