RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
71
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2477
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link