RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
71
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2477
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link