RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2835
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link