RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3795
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link