RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1881
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link