RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1881
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link