RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2812
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link